Carrinho de compras
Seu carrinho está vazio

Atendimento

0

PIX - Mais comodidade

para VOCÊ!

Descontos de 20%

para pagamento À VISTA!

Compre no site

retire na LOJA

Pague com cartão

em ate 12x s/ juros

Segurança garantida

Loja oficial

Atualizando informações ...

MEMORIA NOTEBOOK 8GB DDR4 3200MHZ KINGSTON

Ref: 23151
Marca: KINGSTON
Modelo: KF316LS9IB/8

Por:
R$ 224,88

R$ 179,90 à vista com desconto
ou 12x de R$ 18,74 Sem juros
Simulador de Frete
- Calcular frete
Frete e prazo de entrega
Descrição Geral

Características:
- Marca: Kingston FURY
- Modelo: KF316LS9IB/8

Descrição:
O KVR32S22S6/8 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-3200 1G x 64 bits (8GB) CL22 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-3200  tempo de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouroO KVR32S22S6/8 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-3200 1G x 64 bits (8GB) CL22 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-3200  tempo de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Especificações:
8GB 3200MHz DDR4 Non-ECC CL22 SODIMM 1Rx16
8GB Module - DDR4 3200MHz

• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
• Geração e calibração de VREFDQ na matriz
• Single-rank
• EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
• Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
• Topologia fly-by
• Comando de controle terminado e barramento de endereço
• PCB: Altura 1,23 ”(30,00 mm)
• Compatível com RoHS e livre de halogênio

- CL (IDD): 22 ciclos
- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
- Classificação UL: 94 V-0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.

Características
  • Tipo de Memória: DDR4
  • Capacidade de RAW: 8 GB
  • Velocidade RAW: 3200 MHZ
  • Memória para:: Notebook
Formas de Pagamento
Avaliações

Produtos visualizados

Carregando ...